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FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介

發布時間：2024-03-21　點擊量：595

FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介

我公司專業從事半導體檢測設備和測量儀器的設計和生產。
發布本公司生產的測試儀，包括場效應管L負載測試儀、場效應管、晶體管熱阻測量儀等。
規格可以根據產品樣品進行更改，并且我們可以根據測量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。

 

EF-5202面板
EF-5202面板
EF-5202面板背面EF-5202面板背面

 

l 負載測試設備（MOS FET）

l 負載測試設備（MOS FET）
該裝置是對樣品施加安全操作區（ASO）內的高電壓和大電流以檢查樣品是否會被破壞的測試裝置。

將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負載，并控制輸入柵極電壓來
切換DUT。由于DUT的切換，L負載兩端會產生反電動勢，根據此時產生的電壓和電流來測試DUT的耐受能力。

 

測量規格

 VDS電源VG1電源VG2電源
設定電壓范圍0.0V~50.0V0.0V~+30.0V0.0V~-30.0V
設置分辨率1.0V0.1V0.1V
輸出電流40A以上+100mA以上-100mA以上
設定精度±(1%+0.5A)以內±(1%+0.1A)以內±(1%+0.1A)以內

 

電流限制
設定電流0A~40A
解決1A
檢測時間99uS最大1uS步長

鉗位電源
輸出電壓999V最大1.0V步進
設定精度±(1%F?S+10V)

 

現成產品概要

場效應管-901
大功率負載測試設備500V-100A
場效應管-902
小功率L負載測試設備200V-30A
FET/晶體管組合型
場效應管-9205
可以用ROM編程
EF-5002
硬 L 和軟 L 測試可使用同一端子進行。
可進行 100V-60A 多路復用器操作（2CH）。